第四百八十六章 要不要一起看简单场景的电影？ (第1/2页)

实验室，许青舟没参与卡森等人的闲聊，注意力集中在参数面板上。
　　
　　CVD生长，在H/Ar（流量比1:10）气氛中升温至1050°C，通入CH（10sccm）生长，接下来就是长达4个小时的等待。
　　
　　搞定完第一步，许青舟留守实验室，卡森三个人去吃饭，没多久，实验室中仅仅剩下设备运行时的低沉声音。
　　
　　他仔细检查完设备运行情况，转身去隔壁的办公室，打开电脑，看CVD生长的情况。
　　
　　见数据什么都没问题，他从包里掏出NbSn薄膜制备的资料。
　　
　　实验过程中会遇到两个大问题，界面应力与成分控制难题，这在一定程度上决定了薄膜能达到的性能。
　　
　　对于前者，许青舟以前用过的一种方式，低温ALD和梯度退火，想办法减少热膨胀系数。
　　
　　虽然当时是用在硅基量子点的设计上，但万变不离其宗，试试再说。
　　
　　成分控制难题相对麻烦。
　　
　　需要进行大量调整，例如进行前驱体优化，替换样品，或者等离子体参数优化等等，目前也只能先做准备，一切都只有等第一轮实验数据出来了再调整。
　　
　　下午3点，许青舟和卡森再度进入实验室。
　　
　　冷却至300°C后旋涂PMMA保护层。
　　
　　最后，转移到电化学剥离铜箔，捞取石墨烯至SiO/Si衬底，丙酮去除PMMA。
　　
　　这个步骤大约2小时。
　　
　　留卡森检查设备，许青舟回办公室，打算再查查其他课题组的进度。
　　
　　做前沿实验的课题组会像“侦探”一样关注对手动态，这在一定程度上可以加速科学突破，有竞争才会有压力嘛。
　　
　　当然，也可能会道心崩溃。
　　
　　就比如曾经在普林斯顿，许青舟某天正在实验室跑数据呢，突然听到楼道里一阵大喊大叫。
　　
　　走出一看，一位老哥哭得那叫一个凄惨。
　　
　　后来才知道，这位老哥准备做两个创新点，干了几个月，第一个创新点被其他课题组nature见刊。
　　
　　老哥立刻换了第二个创新点，可干一个月左右才发现，又被science见刊了。
　　
　　于是，两次冲击下，绷不住了。
　　
　　当然，搞科研嘛，其实就算小撞，稍微修一下也能发表。
　　
　　不过许青舟他们这个倒不存在这个问题。
　　
　　普林斯顿大学研究的是二维超导薄膜，具体来说是拓扑超导与马约拉纳零能模，目标是把界面缺陷密度降低90%，以便推动容错量子计算发展。
　　
　　日国着眼于氮化铌（NbN）薄膜，希望能增强抗磁场干扰能力，把相干时间延长至400微秒以上。
　　
　　夏国目前在研究高温超导薄膜，希望能设计出无需极低温设备的量子芯片。
　　
　　在超导薄膜方面，新一轮竞争刚刚开始，大家目前似乎都没有什么关键性进展。
　　
　　下午4点。
　　
　　孙思敏和马尔斯上完课两人进来。
　　
　　许青舟给他们递过去两张手稿：“这里有个书单，希望你们在一个月之内看完。”
　　
　　在基于ALD与石墨烯衬底的无衬底NbSn薄膜制备实验中，涉及多个数学领域的理论和方法。
　　
　　需要用到常微分方程和偏微分方程来描述实验过程中样品的反应情况，预测薄膜生长速度，还有线性代数，统计学里边的回归分析等等。
　　
　　

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